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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0227010 (1999-01-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 81 인용 특허 : 17 |
A structure and process for a triple damascene interconnection device. The device is formed within a terraced trench formed using damascene techniques within a single, relatively thick dielectric film. The interconnection device formed within the terraced structure includes a plurality of films and
[ What is claimed:] [1.]1. A process for forming a connection device, comprising the steps of:(a) forming a contact layer over a substrate, said contact layer having a contact surface;(b) forming a dielectric film over said contact surface, said dielectric film having a top, a bottom, and an upper s
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