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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0573370 (1995-12-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 151 인용 특허 : 9 |
A method for making integrated circuit wafers wherein the wafer has vias or other openings in the wafer which openings have a barrier/adhesion or other metal layer which is metallized to form the circuit comprising activating the metal layer and then sensitizing the metallic layer using a sensitizin
[ Thus, having described the invention, what is claimed is:] [1.]1. A process for the selective electroless metal plating of Ti, W, Ti/W alloy, aluminum or aluminum alloy metal layer used in the fabrication of a silicon integrated circuit wafer coated with a layer of a dielectric material comprising
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