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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0261274 (1999-03-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 52 인용 특허 : 3 |
An ultra-large-scale integrated (ULSI) circuit includes MOSFETs which have different threshold voltages and yet have the same channel characteristics. The MOSFETs include gate structures or gate stacks with a silicon and germanium material provided over a seed layer. The seed layer can be a 20-40 .A
[ What is claimed is:] [1.]1. A gate stack structure above a single crystal substrate, the gate stack structure comprising:a gate insulating layer above the single crystal substrate;a thin semiconductor seed layer disposed above the gate insulating layer;a compound semiconductor layer including germ
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