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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0712382 (2000-11-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 6 |
The reduction of electrical noise in a high voltage distribution path of a high density flash memory device is disclosed. High voltage brought on-chip from an external power source is transmitted over separate isolated voltage distribution paths to a voltage generator circuit. The voltage generator
[ We claim:] [1.]1. A method of reducing noise in a high voltage distribution path of a high density flash memory device comprising an array of single level flash memory cells, said method comprising:(a) receiving a high voltage power by said flash memory device from a source external to said flash
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