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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | G11B-005/66 |
미국특허분류(USC) | 428/332 ; 428/336 ; 428/692 ; 428/694T ; 428/694TM ; 428/694TS ; 428/900 ; 360/113 |
출원번호 | US-0273496 (1999-03-22) |
우선권정보 | JP0185481 (1998-06-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 78 인용 특허 : 1 |
According to the another aspect of the invention, a magnetoresistance effect element having a magnetoresistance effect film which includes a crystal growth controlling layer as one of films therein, characterized in that a roughness along a boundary between films overlying said crystal growth controlling layer is smaller than a roughness along a boundary between films underlying said crystal growth controlling layer is provided. According to the another aspect of the invention, a magnetoresistance effect element comprising a free layer, pinned layer and ...
[ What is claimed is:] [1.]1. A magnetoresistance effect element comprising a first magnetic layer susceptible in magnetization to an external magnetic field, a second magnetic layer substantially pinned in magnetization, and a non-magnetic intermediate layer interposed between said first magnetic layer and said second magnetic layer, characterized in further comprising a metal barrier layer provided adjacent to said first magnetic layer, and a fourth layer located adjacent to said metal barrier layer and containing at least one selected from oxides, nit...