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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0463976 (2000-02-14) |
우선권정보 | FR0010288 (1997-08-12) |
국제출원번호 | PCT/FR98/01789 (1998-08-11) |
§371/§102 date | 20000214 (20000214) |
국제공개번호 | WO-9908316 (1999-02-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 157 인용 특허 : 11 |
The annealing step is carried out to a thermal budget made in relation to the thermal budget of the ionic implantation step and possibly other thermal budgets inferred for other steps, in order to provide said cleavage of the substrate.
[ What is claimed is:] [1.]1. A method of manufacturing a thin film of solid material that includes at least the following steps:a step of ionic implantation through one face of a substrate of the solid material using ions capable of creating in the volume of the substrate, and at a depth close to t
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