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Cleaner composition, method for making and using same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C11D-007/18
  • C23G-001/02
출원번호 US-0241196 (1999-02-01)
발명자 / 주소
  • Grant Donald C.
  • Litchy Mark R.
출원인 / 주소
  • CT Associates, Inc.
대리인 / 주소
    Skinner and Associates
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 8

초록 ▼

A cleaning solution composition for use on electronic component and equipment employed in the cleaning of these components. The cleaning solution comprises ultrapure water containing carbonic acid plus an oxidizing agent selected from hydrogen peroxide, ozone, and combinations thereof. The invention

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.]1. A cleaning solution composition for removing contaminants from items comprising:(a) water;(b) carbonic acid; and(c) hydrogen peroxide present at a solution concentration of 4% to 6% by weight, plus ozone at a saturation concentration.

이 특허에 인용된 특허 (8)

  1. Willis John S. (Prescot GB2) White David A. (London GB2), Actinide dissolution.
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  2. Wyness David K. (1624 Willemoore Springfield IL 62704), Apparatus and method for dissolving a gas in an aqueous stream.
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  3. Skrovan John ; McTeer Allen, Methods of reducing corrosion of materials, methods of protecting aluminum within aluminum-comprising layers from electrochemical degradation during semiconductor processing methods of forming alumin.
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  4. Grant Donald C. (Excelsior MN), Point-of-use recycling of wafer cleaning substances.
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  5. Shibata Miki,JPX ; Nishi Toyomi,JPX ; Nakao Hidetaka,JPX ; Togawa Tetsuji,JPX, Polishing apparatus.
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  6. Showalter ; William E., Process for recovery of mineral values from underground formations.
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  7. Sugio ; Akitoshi ; Masuda ; Yukiya ; Kobayashi ; Toshihiko ; Nakano ; Ko ichi ; Sawai ; Tsukasa, Process for roughening surface of epoxy resin.
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  8. Ali Yusuf ; Bhatia Rajkumar ; Kulshreshtha Alok K., Use of carbon dioxide and carbonic acid to clean contact lenses.
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이 특허를 인용한 특허 (5)

  1. Takenouchi, Kenji, Cutting method.
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  2. Shrinivasan, Krishnan; Tipton, Adrianne, Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species.
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  3. John Michael Cotte ; Dario L. Goldfarb ; Kenneth John McCullough ; Wayne Martin Moreau ; Keith R. Pope ; John P. Simons ; Charles J. Taft, Process of drying semiconductor wafers using liquid or supercritical carbon dioxide.
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  4. Tokoshima, Hiroto; Kobayashi, Hideki, Ultrapure water production facility and method of monitoring ultrapure water.
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  5. Lin, Yu-Hsun, Wafer treatment solution for edge-bead removal, edge film hump reduction and resist surface smooth, its apparatus and edge-bead removal method by using the same.
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