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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0350176 (1999-07-09) |
우선권정보 | JP0026210 (1996-01-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 75 인용 특허 : 156 |
Concentration of metal element which promotes crystallization of silicon and which exists within a crystal silicon film obtained by utilizing the metal element is reduced. A first heat treatment for crystallization is implemented after introducing nickel element to an amorphous silicon film 103. The
[ What is claimed is:] [1.]1. An active matrix type EL display device comprising:a substrate having an insulating surface;at least one thin film transistor formed on said insulating surface, said thin film transistor having a crystalline semiconductor layer comprising at least source, drain, and cha
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