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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0284801 (1999-06-18) |
우선권정보 | FR-0013449 (1996-11-05) |
국제출원번호 | PCT/FR97/01969 (1997-11-04) |
§371/§102 date | 19990618 (19990618) |
국제공개번호 | WO98/20543 (1998-05-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 98 인용 특허 : 8 |
The present invention relates to a production method for a thin film on a support that includes an ionic implantation stage in order to demarcate the thin film in a substrate, the aim of the ionic implantation being to create a layer of micro-cavities in the substrate, a stage to bond the substrate
1. Production method for a thin film made of a first material on a support made of a second material, said method comprising:an ionic implantation stage during which a face of a substrate of said first material is bombarded with ions in order to create a layer of micro-cavities in the volume of the
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