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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0708436 (2000-11-09) |
우선권정보 | KR-0049499 (1999-11-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 3 |
Disclosed is a method for fabricating capacitors of a semiconductor device. This method includes A method for fabricating a capacitor of a semiconductor device, comprising the steps of forming a lower electrode on a semiconductor substrate formed with diverse structures required for a fabrication of
1. A method for fabricating a capacitor of a semiconductor device, comprising the steps of:forming a lower electrode having an exposed surface on a semiconductor substrate, the lower electrode having a surface composition adjacent the exposed surface and a bulk composition, the surface composition a
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