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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0506931 (2000-02-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 12 |
A method for electroplating copper in trenches, including the steps of providing a semiconductor substrate having a trench formed therein and electrolytically depositing a first copper containing layer having an upper surface and a predetermined thickness within the trench. The first copper depositi
1. A method for electroplating copper in a trench, the steps comprising:providing a semiconductor structure having a trench formed therein; depositing by electrolysis a first copper containing layer having an upper surface and a predetermined thickness within said trench; said first copper depositio
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