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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0671209 (2000-09-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 3 |
Spacers are formed on a semiconductor device by depositing a spacer layer on the semiconductor device. The semiconductor device is subjected to an anisotropic etching process to leave at least a portion of the spacer layer covering the semiconductor device. The semiconductor device is then subjected
1. A method of forming spacers on a semiconductor device, comprising:providing a semiconductor substrate; forming a plurality of gate electrodes on the semiconductor substrate using polysilicon; forming an insulating layer between each of the gate electrodes and the semiconductor substrate, each of
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