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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0613934 (2000-07-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 62 인용 특허 : 14 |
The present invention provides systems, methods and apparatus for high temperature (at least about 500-800.degree. C.) processing of semiconductor wafers. The systems, methods and apparatus of the present invention allow multiple process steps to be performed in situ in the same chamber to reduce to
1. A substrate processing system comprising:a vacuum chamber, said vacuum chamber operable at a pressure between about 10-760 torr; a gas distribution manifold, located within said housing, to introduce reactive gases into said vacuum chamber; a ceramic heater to hold a wafer, said ceramic heater he
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