$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Single crystal material auxiliary melting apparatus and single crystal material melting method 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-015/00
  • C30B-035/00
출원번호 US-0403621 (1999-11-05)
우선권정보 JP-0080345 (1998-03-12); JP-0080349 (1998-03-12)
국제출원번호 PCT/JP98/05477 (1998-12-04)
§371/§102 date 19991105 (19991105)
국제공개번호 WO99/46432 (1999-09-16)
발명자 / 주소
  • Nobumitsu Takase JP
  • Tomohisa Machida JP
  • Yutaka Shiraishi JP
출원인 / 주소
  • Super Silicon Crystal Research Institute Corp. JP
대리인 / 주소
    Connolly Bove Lodge & Hutz LLP
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 7

초록

The present invention aims to improve thermal efficiency and to reduce melting time when a raw material in an auxiliary crucible is heated and melted by induction heating method. When an initial raw material 30a is at low temperature and its conductivity is relatively low, a conductive carbon cylind

대표청구항

1. A single crystal material auxiliary melting apparatus for heating and melting a single crystal raw material in an auxiliary crucible and for supplying melt into a main crucible, said apparatus comprising:a conductive susceptor arranged around said auxiliary crucible so that it can be moved in a v

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Imai Masato (Hiratsuka JPX) Noda Hiroyuki (Yamagata JPX) Shiraishi Yutaka (Hiratsuka JPX) Niikura Keishi (Hiratsuka JPX) Kurosaka Shoei (Hiratsuka JPX), Apparatus and method for producing single crystal.
  2. Altekrger Burkhard (Alzenau DEX), Apparatus for continuously feeding material to a melting crucible.
  3. Jewett David N. (Harvard MA), Apparatus for producing semiconductor grade silicon and replenishing the melt of a crystal growth system.
  4. Klingshirn Herbert (Burghausen DEX) Lang Reinhard (Burghausen DEX), Continuous liquid silicon recharging process in czochralski crucible pulling.
  5. Ogure Naoaki,JPX ; Terashima Kazuyoshi,JPX, Method of and apparatus for continuously producing a solid material.
  6. Takano Kiyotaka (Annaka JPX) Fusegawa Izumi (Annaka JPX) Yamagishi Hirotoshi (Annaka JPX), Single crystal pulling apparatus.
  7. Freedman Gary M. (Stow MA) Perletz Lawrence L. (Reading MA) Willis John G. (Chelmsford MA), System for continuously replenishing melt.

이 특허를 인용한 특허 (12)

  1. Fishman, Oleg S.; Mortimer, John H.; Prabhu, Satyen N.; Cao, Mike Maochang, Electric induction heating, melting and stirring of materials non-electrically conductive in the solid state.
  2. Tenzek, Anthony M.; Lazor, David A., Induction furnace for melting granular materials.
  3. Tenzek,Anthony M.; Lazor,David A., Induction furnace for melting granular materials.
  4. Lazor,David A., Induction furnace for melting semi-conductor materials.
  5. Lazor,David A.; Pupillo,Daniel J.; Deeter,Jeffrey P.; Todaro,Thomas J.; Tenzek,Anthony M., Induction furnace for melting semi-conductor materials.
  6. Holder, John Davis, Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material.
  7. Holder,John Davis, Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material.
  8. Holder,John Davis, Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material.
  9. Yamashiro, Kouji; Abe, Nobuhira, Method for producing SiC single crystal.
  10. von Ammon, Wilfried, Process and apparatus for producing a single crystal of semiconductor material.
  11. von Ammon, Wilfried, Process and apparatus for producing a single crystal of semiconductor material.
  12. Lee, Jin Seok; Jang, Bo Yun; Ahn, Young Soo, Reusable dual crucible for silicon melting and manufacturing apparatus of silicon slim plate including the same.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로