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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0171228 (1999-03-26) |
우선권정보 | DE-0017057 (1996-04-29) |
국제출원번호 | PCT/DE97/00876 (1997-04-29) |
§371/§102 date | 19990326 (19990326) |
국제공개번호 | WO97/41587 (1997-11-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 12 |
A sputtering installation has two longitudinally extended magnetrons disposed next to one another and each has a target on an upper side thereof. Increasing utilization of the targets in the sputtering installation is accomplished by homogenizing the discharge resistance of the magnetrons along the
1. A sputtering apparatus comprising:longitudinally extending first and second magnetrons disposed adjacent one another; said first and second maagnetrons each including: a U-shaped basic body; a magnetic assembly having external and internal magnets enclosed within the U-shaped basic body; said ext
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