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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0337333 (1999-06-21) |
우선권정보 | JP-0174482 (1998-06-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 275 인용 특허 : 5 |
There is provided a method of removing trap levels and defects, which are caused by stress, from a single crystal silicon thin film formed by an SOI technique. First, a single crystal silicon film is formed by using a typical bonding SOI technique such as Smart-Cut or ELTRAN. Next, the single crysta
1. A method of manufacturing a semiconductor device, said method comprising the steps of:forming a porous silicon layer by anodic oxidation of a first single crystal silicon substrate; proceeding an epitaxial growth of a single crystal silicon film on the porous silicon layer; forming a silicon oxid
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