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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0334741 (1999-06-17) |
우선권정보 | JP-0173413 (1998-06-19); JP-0116245 (1999-04-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 17 |
A first Zener diode group, connected between drain and gate terminals of a power MOSFET, causes breakdown in response to a surge voltage applied to the drain terminal. A resistor, provided between the gate terminal of the power MOSFET and a gate control unit, prevents current from flowing from the d
1. A surge preventing circuit for an insulated gate type transistor with high-voltage and low-voltage terminals, one of which is connected to an electric load, and a gate terminal connected to a gate control unit, said surge preventing circuit comprising:a first Zener diode having one end connected
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