최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0413446 (1999-10-06) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 122 인용 특허 : 5 |
A gallium nitride growth process forms crystalline gallium nitride. The process comprises the steps of providing a source gallium nitride; providing mineralizer; providing solvent; providing a capsule; disposing the source gallium nitride, mineralizer and solvent in the capsule; sealing the capsule;
1. A gallium nitride growth process for forming crystalline gallium nitride, the process comprising:providing a source gallium nitride, the source gallium nitride comprising gallium nitride: providing a mineralizer: providing a solvent; providing a capsule comprising a first end unit and a second en
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.