[특허]Uniformity correction for large area electron source

[미국특허] Uniformity correction for large area electron source 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01J-037/30
출원번호	US-0408926 (1999-09-30)
발명자 / 주소	William R. Livesay
출원인 / 주소	Electron Vision Corporation
대리인 / 주소	Roberts & Mercanti, LLP
인용정보	피인용 횟수 : 39 인용 특허 : 3

초록 ▼

The invention pertains to electron exposure equipment useful for exposing, treating and processing coatings and other materials by a cold cathode gas discharge electron source having a broad uniform emitting area. The apparatus has a vacuum chamber; a large surface area cathode in the vacuum chamber and means for applying a negative voltage to the cathode and causing the cathode to issue electrons toward a target in the vacuum chamber. An anode is positioned between the cathode and the target. The anode is formed of an electrically conductive grid having an array of apertures therethrough extending from a center of the grid to an edge of the grid. In one embodiment the apertures have a progressively increasing area from the center of the grid to the edge of the grid. In another embodiment the anode has a progressively decreasing thickness from the center of the grid to the edge of the grid. In yet another embodiment the anode has both progressively increasing area from the center of the grid to the edge of the grid and a progressively decreasing thickness from the center of the grid to the edge of the grid. A voltage is applied to the anode which is positive relative to the voltage applied to the cathode.

대표청구항 ▼

1. An electron emission apparatus, comprising:(a) a vacuum chamber; (b) a large surface area cathode in the vacuum chamber; (c) means for applying a negative voltage to the cathode and causing the cathode to issue electrons toward a target in the vacuum chamber; (d) an anode spaced apart from the cathode and positioned between the cathode and the target; said anode comprising an electrically conductive grid having an array of spaced apart apertures therethrough extending from a center of the grid to an edge of the grid; said apertures having progressively increasing area from the center of the grid to the edge of the grid, and said grid having a progressively decreasing thickness from a center of a grid to an edge of the grid; and (e) means for applying a voltage to the anode which is positive relative to the voltage applied to the cathode.

이 특허에 인용된 특허 (3) 인용/피인용 타임라인 분석

Leung Ka-Ngo (Hercules CA), Broad beam ion implanter.
상세보기
Wakalopulos George (Pacific Palisades CA), Ion plasma electron gun.
상세보기
Livesay William R. (San Diego CA), Large-area uniform electron source.
상세보기

이 특허를 인용한 특허 (39) 인용/피인용 타임라인 분석

Forbes Jones, Robin M.; Kennedy, Richard L., Apparatus and method for clean, rapidly solidified alloys.
상세보기
Forbes Jones, Robin M.; Kennedy, Richard L., Apparatus and method for clean, rapidly solidified alloys.
상세보기
Stoner, Brian; Piascik, Jeffrey, Bipolar microelectronic device.
상세보기
Forbes Jones, Robin M.; Shaffer, Sterry A., Casting apparatus and method.
상세보기
Elsheref,Khaled A.; Demos,Alexandros T.; M'saad,Hichem, Characterizing an electron beam treatment apparatus.
상세보기
Demos, Alexandros T.; Elsheref, Khaled A.; Chang, Josphine J.; M'saad, Hichem, Clean process for an electron beam source.
상세보기
Demos,Alexandros T.; Elsheref,Khaled A.; Chang,Josphine J.; M'saad,Hichem, Clean process for an electron beam source.
상세보기
Dorf, Leonid; Rauf, Shahid; Collins, Kenneth S.; Misra, Nipun; Carducci, James D.; Leray, Gary; Ramaswamy, Kartik, Electron beam plasma source with arrayed plasma sources for uniform plasma generation.
상세보기
Bera, Kallol; Rauf, Shahid; Dorf, Leonid; Collins, Kenneth S.; Balakrishna, Ajit; Leray, Gary, Electron beam plasma source with profiled magnet shield for uniform plasma generation.
상세보기
Dorf, Leonid; Rauf, Shahid; Collins, Kenneth S.; Misra, Nipun; Carducci, James D.; Leray, Gary; Ramaswamy, Kartik, Electron beam plasma source with segmented beam dump for uniform plasma generation.
상세보기
Gerlach, Robert L.; Tesch, Paul P.; Skoczylas, Walter, Electron beam system using multiple electron beams.
상세보기
Demos,Alexandros T.; Ponnekanti,Hari K.; Zhao,Jun; Armer,Helen R., Electron beam treatment apparatus.
상세보기
Quach,David H.; Zhao,Jun, Electron beam treatment apparatus.
상세보기
Ooae, Yoshihisa; Shimizu, Yoichi, Electron beam, generating device, and testing device.
상세보기
Kameyama, Ikuya, Grid providing beamlet steering.
상세보기
Wakalopulos, George, Ion plasma beam generating device.
상세보기
Forbes Jones, Robin M., Ion plasma electron emitters for a melting furnace.
상세보기
Demos, Alexandros T.; Ponnekanti, Hari K.; Zhao, Jun; Armer, Helen R.; Livesay, William R.; Woods, Scott C., Large area source for uniform electron beam generation.
상세보기
Katsap,Victor; Kruit,Pieter; Moonen,Daniel; Waskiewicz,Warren Kazmir, Lens array for electron beam lithography tool.
상세보기
Hong, Sukwon; Tran, Toan; Mallick, Abhijit; Liang, Jingmei; Ingle, Nitin K., Low shrinkage dielectric films.
상세보기
Yim,Kang Sub; Huang,Lihua Li; Schmitt,Francimar; Xia,Li Qun, Low temperature process to produce low-K dielectrics with low stress by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
상세보기
Forbes Jones, Robin M.; Kennedy, Richard L., Melting furnace including wire-discharge ion plasma electron emitter.
상세보기
Forbes Jones, Robin M.; Kennedy, Richard L., Melting furnace including wire-discharge ion plasma electron emitter.
상세보기
Livesay,William R.; Zimmerman,Scott M., Method and apparatus for forming optical materials and devices.
상세보기
Forbes Jones, Robin M., Method and apparatus for producing large diameter superalloy ingots.
상세보기
Demos,Alexandros T.; Elsheref,Khaled A.; Trachuk,Yuri; Cho,Tom K.; Dixit,Girish A.; M'Saad,Hichem; Witty,Derek, Method and apparatus for reducing charge density on a dielectric coated substrate after exposure to a large area electron beam.
상세보기
Shiobara,Eishi; Hayasaki,Kei; Fujisawa,Tadahito; Ito,Shinichi, Method for evaluating sensitivity of photoresist, method for preparation of photoresist and manufacturing method of semiconductor device.
상세보기
Hong, Ji Suk; Choi, Chul Chan, Method for fabricating semiconductor memory device.
상세보기
Zheng,Yi; Nemani,Srinivas D.; Xia,Li Qun; Hollar,Eric; Yim,Kang Sub, Method for forming ultra low k films using electron beam.
상세보기
Yim,Kang Sub; Chan,Kelvin; Rajagopalan,Nagarajan; Liu,Josephine Ju Hwei Chang; Ahn,Sang H.; Zheng,Yi; Yi,Sang In; Nguyen,Vu Ngoc Tran; Demos,Alexandros T., Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers.
상세보기
Chen,Kuang Jung J.; Huang,Wu Song S.; Wu,Chung Hsi J., Methods of improving single layer resist patterning scheme.
상세보기
Schmitt, Francimar; Zheng, Yi; Yim, Kang Sub; Ahn, Sang H.; D'Cruz, Lester A.; Ho, Dustin W.; Demos, Alexandros T.; Xia, Li Qun; Witty, Derek R.; M'Saad, Hichem, Multi-stage curing of low K nano-porous films.
상세보기
Kennedy, Richard L.; Forbes Jones, Robin M., Processes, systems, and apparatus for forming products from atomized metals and alloys.
상세보기
Forbes Jones, Robin M.; Kennedy, Richard L.; Minisandram, Ramesh S., Refining and casting apparatus and method.
상세보기
Forbes Jones, Robin M.; Shaffer, Sterry A., Refining and casting apparatus and method.
상세보기
Forbes Jones, Robin M.; Shaffer, Sterry A., Refining and casting apparatus and method.
상세보기
Schmitt, Francimar; Demos, Alexandros T.; Witty, Derek R.; M'Sadd, Hichem; Ahn, Sang H.; D'Cruz, Lester A.; Elsheref, Khaled A.; Cui, Zhenjiang, Techniques promoting adhesion of porous low K film to underlying barrier layer.
상세보기
Igarashi,Shinichi; Nakamura,Akiko; Kitajima,Masahiro, Two-dimensional patterning method, electronic device using same, and magnetic device fabricating method.
상세보기
Yim,Kang Sub; Zheng,Yi; Nemani,Srinivas D.; Xia,Li Qun; Hollar,Eric P., Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
상세보기

활용도 분석정보

상세보기

다운로드

내보내기

활용도 Top5 특허

해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.

IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
저장형식	Text(ASCII format) Excel format PIAS분석(.xls)
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

[미국특허] Uniformity correction for large area electron source 원문보기

초록 ▼

대표청구항 ▼

연구과제 타임라인

이 특허에 인용된 특허 (3) 인용/피인용 타임라인 분석

이 특허를 인용한 특허 (39) 인용/피인용 타임라인 분석

활용도 분석정보

활용도 Top5 특허

관련 콘텐츠

특허 원문 보기

IPC 상위 출원인

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

연합인증

[미국특허] Uniformity correction for large area electron source 원문보기

초록 ▼

대표청구항 ▼

연구과제 타임라인

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

전체(0) 논문(0) 특허(0) 보고서(0)

이 특허에 인용된 특허 (3) 인용/피인용 타임라인 분석

이 특허를 인용한 특허 (39) 인용/피인용 타임라인 분석

활용도 분석정보

활용도 Top5 특허 더보기

관련 콘텐츠

특허 원문 보기

IPC 상위 출원인

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트

활용도 Top5 특허