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[미국특허] Method of forming ruthenium oxide films 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/20
  • H01L-021/44
  • H01L-021/31
  • C23C-014/02
출원번호 US-0562194 (2000-05-01)
발명자 / 주소
  • Donald Franklin Foust
  • James Wilson Rose
  • Ernest Wayne Balch
출원인 / 주소
  • General Electric Company
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 25

초록

A method of forming a ruthenium dioxide film for such purposes as the fabrication of stable thin-film resistors for microcircuits. The method generally entails forming an inorganic ruthenium-based film on a substrate, and then thermally decomposing at least a portion of the ruthenium-based film by e

대표청구항

1. A method of forming a ruthenium dioxide film on a substrate, the method comprising the steps of:forming an inorganic ruthenium-based film on the substrate; and then thermally decomposing at least a portion of the ruthenium-based film by exposure to a high-intensity beam of radiation to yield a ru

이 특허에 인용된 특허 (25) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Jow T. Richard (Chatham NJ) Zheng Jian-Ping (Eatontown NJ), Amorphous thin film electrode materials from hydrous metal oxides.
  2. Say James ; Tomasco Michael F. ; Heller Adam ; Gal Yoram,ILX ; Aria Behrad ; Heller Ephraim ; Plante Phillip John ; Vreeke Mark S. ; Friedman Keith A. ; Colman Fredric C., Analyte monitoring device and methods of use.
  3. Hagemeyer Alfred ; Dingerdissen Uwe,DEX ; Kuhlein Klaus,DEX ; Heitz Johannes,ATX ; Bauerle Dieter,ATX, Catalyst, process for its production and its use for preparing vinyl acetate.
  4. McCormick Fred B. (Maplewood MN) Gladfelter Wayne L. (St. Paul MN) Senzaki Yoshihide (Minneapolis MN), Chemical vapor deposition of iron, ruthenium, and osmium.
  5. Summerfelt Scott R., Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes.
  6. Inam Arun (Red Bank NJ) Ramesh Ramamoorthy (Eatontown NJ), Crystallographically aligned ferroelectric films usable in memories and method of crystallographically aligning perovski.
  7. Zheng Jian-Ping ; Jow T. Richard, Electrode materials from hydrous metal and/or hydrous mixed metal oxides.
  8. Oda Hitoshi,JPX, Electron beam apparatus and method of driving the same.
  9. Tsukada Kiyotaka (Gifu JPX) Noda Yukihiro (Gifu JPX), Electronic circuit substrate.
  10. Saia Richard Joseph ; Durocher Kevin Matthew ; Cole Herbert Stanley, Flexible interconnect film including resistor and capacitor layers.
  11. Emesh Ismail T. (Cumberland CAX) McDonald David R. (Ottawa CAX), Formation of ruthenium oxide for integrated circuits.
  12. Takahashi Yasuo,JPX ; Miura Naoko,JPX, Manufacturing method for electron-emitting device, electron source, and image-forming apparatus.
  13. Maruyama Shigenobu,JPX ; Hongo Mikio,JPX ; Todoroki Satoru,JPX ; Okunaka Masaaki,JPX ; Matsuzaki Hideo,JPX ; Ninomiya Takanori,JPX ; Yoshimura Kazushi,JPX ; Ito Fumikazu,JPX, Method and apparatus for inspection and correction of wiring of electronic circuit and for manufacture thereof.
  14. Ellis Marion Edmond ; Bowles Philip Harbaugh ; Mobley Washington Morris, Method of forming ruthenium-based thick-film resistors.
  15. Nishimura Michiyo,JPX ; Nomura Ichiro,JPX ; Banno Yoshikazu,JPX ; Tsukamoto Takeo,JPX ; Miyata Hirokatsu,JPX ; Takada Kazuhiro,JPX, Method of manufacturing electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus.
  16. Mori Hiroaki (Kyoto JPX) Yonezawa Masao (Kyoto JPX), Method of manufacturing thick-film circuit component.
  17. Vaartstra Brian A. ; Marsh Eugene P., Methods for preparing ruthenium metal films.
  18. Ogata Tomohiko,JPX ; Masaki Takaki,JPX ; Iguchi Yuichiro,JPX ; Tanaka Tuyosi,JPX ; Iwanaga Keiji,JPX, Photosensitive ceramic green sheet, ceramic package, and process for producing the same.
  19. Graetzel Michael (c/o Ecole Polytechnique Federale Lausanne 33 ; avenue de Cour CH-1015 Lausanne CHX) Kalyanasundaram Kuppuswamy (Chavannes CHX) Duonghong Dung (Lausanne CHX) Neumann-Spallart Michael, Product intended to be used as a photocatalyst, method for the preparation of such product and utilization of such produ.
  20. Vaartstra Brian A. ; Marsh Eugene P., Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same.
  21. Nasby Robert D., Semiconductor diode with external field modulation.
  22. Yamada Akira,JPX ; Sato Takehiko,JPX ; Honda Toshihisa,JPX ; Umemura Toshio,JPX ; Uchikawa Fusaoki,JPX, Temperature-measuring-resistor, manufacturing method therefor, ray detecting element using the same.
  23. Oka Kengo,JPX ; Nagasaka Takashi,JPX, Thick film circuit board and method of forming wire bonding electrode thereon.
  24. Ohkubo Toshio (Tokyo JPX) Kajiwara Yuji (Tokyo JPX) Itano Tsutomu (Tokyo JPX), Thick-film thermal printing head and method of manufacturing the same.
  25. Fukushima Noburu,JPX ; Kawakubo Takashi,JPX ; Shimizu Tatsuo,JPX, Thin film capacitor with electrodes having a perovskite structure and a metallic conductivity.

이 특허를 인용한 특허 (2) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Malhotra,Sandra G.; Deligianni,Hariklia; Rossnagel,Stephen M.; Shao,Xiaoyan; Tai,Tsong Lin; van der Straten,Oscar, Method for direct electroplating of copper onto a non-copper plateable layer.
  2. Felthouse, Timothy R.; Bino, Abraham, Ruthenium oxide catalysts for conversion of sulfur dioxide to sulfur trioxide.

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