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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0718010 (2000-11-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 40 인용 특허 : 22 |
An interconnection structure preferably including one or more conductors that have a central region filled with an insulator, and a method of fabricating such an interconnection structure for preferably making an electrical connection to the conductor(s). The method preferably includes the steps of
1. A method of forming an interconnection structure, the method comprising the steps of:depositing and patterning a first insulator to form an aperture opening to a substrate; depositing a first conductor and polishing the first conductor, thereby leaving the first conductor in the aperture; deposit
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