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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0619458 (2000-07-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 6 |
A metallization layer structure is applied to an aluminum nitride substrate by the application of an intermediate buffer layer of either silicon monoxide or silicon dioxide. Conventional oxide bonding conductor and resistor formulations can then be applied and readily bonded to the intermediate buff
1. A ceramic chip having an adhesively strong thick film metallization adhered thereto, the ceramic chip comprising:an aluminum nitride ceramic substrate, a layer of 900 angstroms to 3000 angstroms thick of a buffer selected from the group consisting of silicon monoxide and silicon dioxide and a pre
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