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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0677531 (2000-10-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 8 |
Within a method for forming a plasma etched layer, there is first provided a substrate. There is then formed over the substrate a microelectronic layer. There is then etched within a plasma reactor chamber, and while employing a plasma etch method, the microelectronic layer to form a plasma etched m
1. A method for forming a plasma etched layer comprising:providing a substrate; forming over the substrate a microelectronic layer; etching within a plasma reactor chamber, and while employing a plasma etch method, the microelectronic layer to form a plasma etched microelectronic layer; transferring
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