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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0139934 (1998-08-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 8 |
A system and method for selectively increasing the thermal effect of a radiant energy source to the surface of an object relative to the substrate is described in the context of rapid thermal processing of semiconductor wafers, and apparatus produced therefrom. A radiation-absorptive atmosphere is i
1. A method of heating an object, comprising:placing an object having a surface within a heating chamber such that the object is contained within the chamber; providing a radiation-absorptive atmosphere within the chamber, the radiation-absorptive atmosphere comprising a specifically controlled mixt
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