최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0302768 (1999-04-30) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 87 인용 특허 : 6 |
A semiconductor body having a pair of vertical, double-gated CMOS transistors. An insulating layer extending horizontally beneath the surface of the semiconductor body such insulating layer being disposed beneath the pair of transistors. The transistors, together with additional such transistors, ar
1. A semiconductor body, comprising:a transistor having a gate channel region disposed between a source region and a drain region, such regions being disposed in the body and extending vertically beneath a surface of the body; a pair of dielectric layers, each one thereof being disposed on a corresp
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.