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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0819039 (2001-03-21) |
우선권정보 | JP-0296424 (1997-10-15); JP-0317562 (1997-11-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 7 |
A method for forming an indium oxide film on an electrically conductive substrate by immersing the substrate and a counter electrode in an aqueous solution containing at least nitrate and indium ions and flowing an electric current between the substrate and the counter electrode thereby causing indi
1. An aqueous solution for the formation of an indium oxide film by electroless deposition, said aqueous solution containing at least nitrate ion at a concentration of 0.001 to 0.5 mol/l, indium ion at a concentration of 0.001 to 0.5 mol/l, and tartrate at a concentration of 0.001 to 0.1 mol/l.
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