최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0784292 (1997-01-16) |
우선권정보 | JP-0032981 (1996-01-27) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 74 인용 특허 : 171 |
Concentration of metal element which promotes crystallization of silicon and which exists within a crystalline silicon film obtained by utilizing the metal element is reduced. A first heat treatment for crystallization is performed in temperature above 750.degree. C. after introducing elemental nick
1. A method for fabricating a semiconductor device, comprising steps of:forming a semiconductor film comprising amorphous silicon over a substrate having an insulating surface, said semiconductor film having a concentration of oxygen within a range of 5.times.1017 cm-3 to 2.times.1019 cm-3; intentio
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.