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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0724398 (2000-11-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 21 |
In a method for mathematically characterizing a multizone CMP carrier, alternating zones are pressurized to a first pressure and the remaining zones are pressurized to a second lower pressure. A first wafer may then be polished using this combination of pressures and a first material removal profile
1. A method for calculating a pressure profile on a wafer for a particular combination of pressure within a first set of zones and a set of remaining zones of a multizone carrier, comprising the steps of:a) mathematically characterizing a multizone carrier by pressurizing predetermined ones of said
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