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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0920049 (2001-08-02) |
우선권정보 | JP-0234443 (2000-08-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 2 |
A thin film transistor having a source region and a drain region having a low melting point region composed of a semiconductor with a melting point lower than that of the semiconductor of the channel region is provided. In the thin film transistor, the dopant concentrations of the low melting point
1. A thin film transistor formed on an insulating substrate, comprising:a channel region comprising a high melting point region composing a first semiconductor; a source region in contact with the high melting point region of the channel region, the source region comprising a first low melting point
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