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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | G01R-031/00 |
미국특허분류(USC) | 324/096; 324/537; 324/752; 324/0725 |
출원번호 | US-0623526 (2000-10-02) |
우선권정보 | JP-0024447 (1998-02-05) |
국제출원번호 | PCT/JP99/00264 (1999-01-25) |
§371/§102 date | 20001002 (20001002) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 7 |
The thin film spin probe is particularly suited for measurement of spin-polarized components which are parallel with or vertical to the surface of a specimen to be measured. A thin film 2 supporting another thin film of the active probing region is formed on substrate 1. The thin film 3 of the active probing region is formed on said thin film 2. A specified section of said substrate is then removed by selective etching.
1. A thin film spin probe comprising:a board, a first thin film formed on said board to support another thin film of the active probing region, and said another thin film of the active probing region formed above said first thin film, wherein a specified section of said board is removed by selective etching, wherein said board is made of GaAs, said first thin film to support said another thin film of the active probing region made of AlGaAs, and said another thin film of the active probing region made of GaAs.