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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0754122 (2001-01-05) |
우선권정보 | JP-2000-198797 () |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 56 인용 특허 : 3 |
A boosting portion switches between an N channel MOS transistor with high drivability and a P channel MOS transistor with low drivability for transmitting a high potential at an internal node to an output node. The N and P channel MOS transistors are respectively operated when boosted potential Vpp
1. A semiconductor device, comprising:a voltage detecting portion detecting a potential at a first node supplied with a boosted potential; a clock signal generation circuit generating an source clock signal in accordance with an output from said voltage detecting portion; and a boosting portion boos
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