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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0697227 (2000-10-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 49 인용 특허 : 129 |
A method of removing photoresist and residue from a substrate begins by maintaining supercritical carbon dioxide, an amine, and a solvent in contact with the substrate so that the amine and the solvent at least partially dissolve the photoresist and the residue. Preferably, the amine is a tertiary a
1. A method of processing a substrate comprising the steps of:a. maintaining supercritical carbon dioxide and an aqueous fluoride in contact with the substrate, the substrate having a silicon dioxide surface which supports a material selected from the group consisting of photoresist, photoresist res
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