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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0626532 (2000-07-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 73 인용 특허 : 166 |
A method of forming substrates. The method includes providing a donor substrate; and forming a cleave layer comprising a cleave plane on the donor substrate. The cleave plane extends from a periphery of the donor substrate through a center region of the substrate. The method also includes forming a
1. A method of forming substrates, the method comprising:providing a donor substrate; forming a cleave layer comprising a cleave plane on the donor substrate, the cleave plane extending from a periphery of the donor substrate through a center region of the substrate; forming a device layer on the cl
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