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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0989080 (2001-11-21) |
우선권정보 | JP-2000-360293 (2000-11-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 9 |
A heat treatment apparatus for applying a predetermined heat treatment to a substrate includes: for example, a dielectric low oxygen controlled cure unit (DLC unit) for forming an interlayer insulating film on a semiconductor wafer W; a hot plate for supporting the wafer W a predetermined distance a
1. A heat treatment apparatus for applying a predetermined heat treatment to a substrate having a coated film formed thereon, comprising:a hot plate on which the substrate is disposed; a chamber for housing the substrate disposed on said hot plate; and an oxygen concentration measuring device for me
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