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Resist compositions and patterning process

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G03F-007/004
출원번호 US-0811695 (2001-03-20)
우선권정보 JP-0077496 (2000-03-21)
발명자 / 주소
  • Hatakeyama, Jun
  • Ohsawa, Youichi
  • Nishi, Tsunehiro
  • Watanabe, Jun
출원인 / 주소
  • Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
대리인 / 주소
    Millen, White, Zelano & Branigan, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 9

초록

A resist composition contains a base resin, a photoacid generator, and a solvent. The photoacid generator is a sulfonium salt of formula (1). R1is a monovalent cyclic or bridgedring C3-20,hydrocarbon group, R2is hydroxyl, nitro, halogen, or a straight, branched or cyclic monovalent C1-15hydrocarbon

대표청구항

A resist composition contains a base resin, a photoacid generator, and a solvent. The photoacid generator is a sulfonium salt of formula (1). R1is a monovalent cyclic or bridgedring C3-20,hydrocarbon group, R2is hydroxyl, nitro, halogen, or a straight, branched or cyclic monovalent C1-15hydrocarbon

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Nakano Kaichiro (Tokyo JPX) Maeda Katsumi (Tokyo JPX) Iwasa Shigeyuki (Tokyo JPX) Hasegawa Etsuo (Tokyo JPX), Alkylsulfonium salts and photoresist compositions containing the same.
  2. Nakano Kaichiro (Tokyo JPX) Maeda Katsumi (Tokyo JPX) Iwasa Shigeyuki (Tokyo JPX) Hasegawa Etsuo (Tokyo JPX), Alkylsulfonium salts and photoresist compositions containing the same.
  3. Kathawala Faizulla G. (West Orange NJ), Cyclopropyl sulfonium salts.
  4. Kaneko Ichiro,JPX ; Nakashima Mutsuo,JPX ; Ishihara Toshinobu,JPX ; Tsuchiya Junji,JPX ; Hatakeyama Jun,JPX ; Nagura Shigehiro,JPX, High molecular weight silicone compound, chemically amplified positive resist composition and patterning method.
  5. Toshikazu Tachikawa JP; Fumitake Kaneko JP; Naotaka Kubota JP; Miwa Miyairi JP; Takako Hirosaki JP; Koutaro Endo JP, Multilayered body for photolithographic patterning.
  6. Iwasa Shigeyuki,JPX ; Maeda Katsumi,JPX ; Nakano Kaichiro,JPX ; Hasegawa Etsuo,JPX, Negative type photoresist composition used for light beam with short wavelength and method of forming pattern using the same.
  7. Iwasa Shigeyuki (Tokyo JPX) Nakano Kaichiro (Tokyo JPX) Hasegawa Etsuo (Tokyo JPX), Photosensitive resin composition useful as resist for deep UV lithography containing sulfonium salts.
  8. Okazaki Hiroshi,JPX ; Pawlowski Georg,JPX ; Funato Satoru,JPX ; Kinoshita Yoshiaki,JPX ; Yamaguchi Yuko,JPX, Process for preparing resists.
  9. Iwasa Shigeyuki,JPX ; Nakano Kaichiro,JPX ; Hasegawa Etsuo,JPX, Sulfonium salts having bridged cyclic alkyl group useful as resist for deep UV lithography.

이 특허를 인용한 특허 (5)

  1. Suzuki, Masayoshi; Hosaka, Kazuyoshi; Shudo, Mariko, Dye-containing resist composition and color filter using same.
  2. Suzuki, Masayoshi; Hosaka, Kazuyoshi; Shudo, Mariko, Dye-containing resist composition and color filter using same.
  3. Ohsawa,Youichi; Kobayashi,Katsuhiro; Kaneko,Tatsushi, Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process.
  4. Kim,Kyoung Mi; Youn,Yeu Young; Wang,Youn Kyung; Kim,Jae Ho; Kim,Young Ho; Kim,Boo Deuk, Photoresist composition and method of forming a pattern using same.
  5. Padmanaban,Munirathna; Kudo,Takanori; Lee,Sangho; Dammel,Ralph R.; Rahman,M. Dalil, Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds.
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