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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0533610 (2000-03-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 133 인용 특허 : 3 |
A method for making a ULSI MOSFET includes depositing a high-k gate insulator on a silicon substrate and then depositing a field oxide layer over the gate insulator. The field oxide layer is masked with photoresist and the photoresist patterned to establish first gate windows, and the oxide below th
1. A semiconductor device, comprising: at least one high-k gate insulator deposited on the substrate; a first field effect transistor comprising a first metal gate electrode on a semiconductor substrate, the first gate electrode including a first material; and a second field effect transisto
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