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특허 상세정보

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Method of producing silicon carbide

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C30B-029/36   
미국특허분류(USC) 117/109; 117/107; 117/952
출원번호 US-0734543 (2000-12-13)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    G. E. Ehrlich L.
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 10
초록
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A method of producing silicon carbide (SiC), by introducing into the interior of a furnace a quantity of relatively pure elemental silicon and a quantity of elemental carbon; subjecting the interior of the furnace to a vacuum; and heating the silicon and carbon to a temperature of 1500° C.-2200° C. to vaporize the silicon and to react it with the carbon to produce silicon carbide. Several embodiments are described for producing a heating or lighting element and a high temperature sensor, respectively, in which the carbon is in the form of a shaped body m...

대표
청구항
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A method of producing silicon carbide (SiC), by introducing into the interior of a furnace a quantity of relatively pure elemental silicon and a quantity of elemental carbon; subjecting the interior of the furnace to a vacuum; and heating the silicon and carbon to a temperature of 1500° C.-2200° C. to vaporize the silicon and to react it with the carbon to produce silicon carbide. Several embodiments are described for producing a heating or lighting element and a high temperature sensor, respectively, in which the carbon is in the form of a shaped body m...

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Cerceau Jean-Michel (Seyssinut Pariset UT FRX) Hall ; Jr. H. Tracy (Orem UT). Cubic boron nitride compact and method of making. USP1987034650776.
  2. Boecker Wolfgang D. G. (Lewiston NY) Chwastiak Stephen (East Amherst NY) Korzekwa Tadeusz M. (Lewiston NY) Lau Sai-Kwing (East Amherst NY). Hexagonal silicon carbide platelets and preforms and methods for making and using same. USP1991035002905.
  3. Balakrishna Vijay ; Thomas R. Noel ; Augustine Godfrey ; Hopkins Richard H. ; Hobgood H. McDonald. Method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide. USP1999115985024.
  4. Brown Wendel G. (Broomfield CO). Method for manufacturing silicon carbide bodies. USP1979054154787.
  5. Stein Ren (Rttenbach DEX). Method for manufacturing single-crystal silicon carbide. USP1993055211801.
  6. Shiomi Hiromu,JPX ; Nishino Shigehiro,JPX. Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal. USP2001026193797.
  7. Dias Francisco J. (Jlich DEX) Gupta Ashok K. (Jlich DEX) Gyarmati Erno (Jlich DEX) Kampel Marian (Heinsberg DEX) Luhleich Hartmut (Dren DEX) Munzer Rudolf (Alsdorf DEX) Naoumidis Aristidis (Jlich-Kos. Method of producing shaped silicon-carbide bodies. USP1981054265843.
  8. Nakajima Keihachiro,JPX ; Kato Hitoshi,JPX ; Okada Kaoru,JPX ; Kubo Ryoji,JPX. Process for producing silicon carbide fibers. USP1999075922300.
  9. Parent Luc (Chicoutimi CAX). Process for producing silicon carbide platelets. USP1993115258170.
  10. Takahaski Jun (Sagamihara JPX) Kanaya Masatoshi (Sagamihara JPX). Sublimation growth of single crystal SiC. USP1995085441011.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 3

  1. Park, Sang Whan; Han, Kyoung Sop; Yun, Sung Ho; Yang, Jin Oh; Cho, Gyoung Sun; Youm, Mi Rae; Jo, Yung Chul. Method for manufacturing SiC powders with high purity. USP2016119487405.
  2. Zwieback, Ilya; Gupta, Avinash K.; Wu, Ping; Barrett, Donovan L.; Ruland, Gary E.; Anderson, Thomas E.. Method for synthesizing ultrahigh-purity silicon carbide. USP2016079388509.
  3. Bracamonte, Lori. Reaction bonded silicon carbide bodies made from high purity carbonaceous preforms. USP2017069676631.

IPC 상위 출원인