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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0734543 (2000-12-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 10 |
A method of producing silicon carbide (SiC), by introducing into the interior of a furnace a quantity of relatively pure elemental silicon and a quantity of elemental carbon; subjecting the interior of the furnace to a vacuum; and heating the silicon and carbon to a temperature of 1500° C.-2200° C.
A method of producing silicon carbide (SiC), by introducing into the interior of a furnace a quantity of relatively pure elemental silicon and a quantity of elemental carbon; subjecting the interior of the furnace to a vacuum; and heating the silicon and carbon to a temperature of 1500° C.-2200° C.
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