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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0238500 (1999-01-27) |
우선권정보 | JP-0018811 (1998-01-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 17 |
An SOI substrate 1 having semiconductor base plate 2 and a single crystal semiconductor layer 4 with interposition of an insulating layer 3 is prepared is reclaimed through a first removal step of removing the single crystal semiconductor layer 4, and a second removal step of removing selectively th
1. A process for reclaiming an SOI substrate, comprising: a step of providing an SOI substrate having a semiconductor base plate, and a single crystal semiconductor layer formed thereon with interposition of an insulation layer; a first removal step for removing the single crystal semiconductor
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