최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0776681 (2001-02-06) |
우선권정보 | JP-0167189 (2000-06-05); JP-0261703 (2000-08-30) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 54 인용 특허 : 12 |
Transistors having large gate tunnel barriers are used as transistors to be on in a standby state, MIS transistors having thin gate insulating films are used as transistors to be off in the standby state, and main and sub-power supply lines and main and sub-ground lines forming a hierarchical power
1. A semiconductor device having a standby cycle and an active cycle and receiving an input signal of a predetermined logical level in said standby cycle, comprising: a first insulated gate field effect transistor connected between a first power source node and a first output node, receiving said
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.