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[미국특허] Selective deposition of hydrous ruthenium oxide thin films 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B05D-005/12
  • C23C-016/40
출원번호 US-0084319 (2002-02-28)
발명자 / 주소
  • Lyons, Karen Swider
  • Rolison, Debra Rose
출원인 / 주소
  • The United States of America as represented by the Secretary of the Navy
대리인 / 주소
    Mills, III, John GladstoneKarasek, John
인용정보 피인용 횟수 : 13  인용 특허 : 10

초록 ▼

A method for selectively depositing a film of hydrous ruthenium oxide on a substrate, the method comprising the steps of: selectively functionalizing a substrate surface; preparing an oxidizing aqueous solution of a Ru-containing composition; generating RuO4(g) from said oxidizing solution; se

대표청구항 ▼

A method for selectively depositing a film of hydrous ruthenium oxide on a substrate, the method comprising the steps of: selectively functionalizing a substrate surface; preparing an oxidizing aqueous solution of a Ru-containing composition; generating RuO4(g) from said oxidizing solution; se

이 특허에 인용된 특허 (10) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Xiaoliang Jin ; Christopher P. Wade ; Xianzhi Tao ; Elaine Pao ; Yaxin Wang ; Jun Zhao, CVD ruthenium seed for CVD ruthenium deposition.
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  2. McCormick Fred B. (Maplewood MN) Gladfelter Wayne L. (St. Paul MN) Senzaki Yoshihide (Minneapolis MN), Chemical vapor deposition of iron, ruthenium, and osmium.
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  3. McCormick Fred B. (Maplewood MN) Gladfelter Wayne L. (St. Paul MN) Senzaki Yoshihide (Minneapolis MN), Chemical vapor deposition of iron, ruthenium, and osmium.
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  4. Christopher P. Wade ; Elaine Pao ; Yaxin Wang ; Jun Zhao, Chemical vapor deposition of ruthenium films for metal electrode applications.
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  5. Zheng Jian-Ping (Eatontown NJ) Jow T. Richard (Chatham NJ), Composite electrode materials for high energy and high power density energy storage devices.
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  6. Zheng Jian-Ping ; Jow T. Richard, Electrode materials from hydrous metal and/or hydrous mixed metal oxides and method of preparing the same.
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  7. Park Heung Lak,KRX ; Choi Kyeong Keun,KRX, Method for fabricating semiconductor device having a capacitor and a method of forming metal wiring on a semiconductor s.
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  8. Davidson Craig R. (Hampstead NH) Sedlak John M. (Andover MA), Oxygen evolution with improved Mn stabilized catalyst.
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  9. Li, Lin Song; Jia, Quanxi, Preparation of energy storage materials.
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  10. Shabrang Mani (Midland MI) Babinec Susan J. (Midland MI) Varjian Richard D. (Midland MI), Ruthenium oxide counterelectrode for electrochromic devices.
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이 특허를 인용한 특허 (13) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Kim,Kwang Bum; Kim,Il Hwan; Nam,Kyung Wan, Apparatus and method for manufacturing thin film electrode of hydrous ruthenium oxide.
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  2. Tsai, Dah-Shyang; Diah, Susanti; Huang, Ying-Sheng, Hybrid electrode and method of preparing the same.
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  3. Weidman, Timothy W.; Mishra, Rohit; Stewart, Michael P.; Cha, Yonghwa Chris; Wijekoon, Kapila P.; Fang, Hongbin, Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask.
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  4. Weidman, Timothy W.; Mishra, Rohit; Stewart, Michael P.; Cha, Yonghwa Chris; Wijekoon, Kapila P.; Fang, Hongbin, Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a metal layer mask.
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  5. Adetutu,Olubunmi O.; Michaelson,Lynne M.; Yu,Kathleen C.; Jones, Jr.,Robert E., Method for forming a gate electrode having a metal.
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  6. Yang,Sam, Method for forming a ruthenium metal layer.
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  7. Yang, Sam, Method for forming a ruthenium metal layer and a structure comprising the ruthenium metal layer.
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  8. Stewart, Michael P.; Kumar, Prabhat; Wijekoon, Kapila P.; Zhang, Lin; Ponnekanti, Hari K., Methods of manufacturing solar cell devices.
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  9. Long, Jeffrey W; Owrutsky, Jeffrey C; Chervin, Christopher N.; Rolison, Debra R; Melinger, Joseph S., RuO2 coatings.
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  10. Weidman,Timothy W., Ruthenium containing layer deposition method.
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  11. Felthouse, Timothy R.; Bino, Abraham, Ruthenium oxide catalysts for conversion of sulfur dioxide to sulfur trioxide.
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  12. Weidman, Timothy W.; Mishra, Rohit, Solar cell contact formation process using a patterned etchant material.
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  13. Rolison, Debra R, Thermoelectric materials.
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