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[미국특허] Read head including a spin valve sensor with a specular reflecting cap layer structure 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11B-005/39
출원번호 US-0827618 (2001-04-06)
발명자 / 주소
  • Gill, Hardayal Singh
  • Pinarbasi, Mustafa
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corporation
대리인 / 주소
    Johnston, Ervin F.
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 7

초록

A cap layer structure includes first and second cap layers wherein the first cap layer is composed of a nonmagnetic metal and the second cap layer is composed of iron oxide. Both cap layers are specular reflectors which reflect conduction electrons back into a spin scattering region of a spin valve

대표청구항

A cap layer structure includes first and second cap layers wherein the first cap layer is composed of a nonmagnetic metal and the second cap layer is composed of iron oxide. Both cap layers are specular reflectors which reflect conduction electrons back into a spin scattering region of a spin valve

이 특허에 인용된 특허 (7) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Cheng T. Horng ; Min Li ; Simon H. Liao ; Ru-Ying Tong ; Chyu Jiuh Torng ; Rongfu Xiao, Bottom spin valves with continuous spacer exchange (or hard) bias.
  2. Gill Hardayal Singh, Dual spin valve sensor with self-pinned layer specular reflector.
  3. Gurney Bruce A. (Santa Clara CA) Heim David E. (Redwood City CA) Lefakis Haralambos (San Jose CA) Need ; III Omar U. (San Jose CA) Speriosu Virgil S. (San Jose CA) Wilhoit Dennis R. (Morgan Hill CA), Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer.
  4. Kamiguchi Yuzo,JPX ; Saito Akiko,JPX ; Koui Katsuhiko,JPX ; Yoshikawa Masatoshi,JPX ; Yuasa Hiromi,JPX ; Fukuzawa Hideaki,JPX ; Hashimoto Susumu,JPX ; Iwasaki Hitoshi,JPX ; Yoda Hiroaki,JPX ; Sahashi, Multi-layered thin-film functional device and magnetoresistance effect element.
  5. Yuzo Kamiguchi JP; Akiko Saito JP; Katsuhiko Koui JP; Masatoshi Yoshikawa JP; Hiromi Yuasa JP; Hideaki Fukuzawa JP; Susumu Hashimoto JP; Hitoshi Iwasaki JP; Hiroaki Yoda JP; Masashi Sahashi , Multi-layered thin-film functional device and magnetoresistance effect element.
  6. Sasaki Tetsuro,JPX ; Ito Noriyuki,JPX, Spin valve effect magnetoresistive sensor and magnetic head with the sensor.
  7. Pinarbasi Mustafa, Spin valve with improved capping layer structure.

이 특허를 인용한 특허 (8) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Horng,Cheng T.; Chen,Mao Min; Chien,Chen Jung; Han,Cherng Chyi; Tong,Ru Ying; Torng,Chyu Jiuh; Wang,Hui Chuan, Bottom spin valve sensor having a lead overlay (LOL) structure fabricated thereon.
  2. Hasegawa, Naoya, Magnetic sensing element having specular layer.
  3. Oshima,Hirotaka; Nagasaka,Keiichi; Jogo,Arata; Shimizu,Yutaka; Tanaka,Atsushi, Magnetoresistive element having current-perpendicular-to-plane structure, magnetic head, and magnetic memory apparatus thereof.
  4. Hoshiya,Hiroyuki; Soeya,Susumu; Meguro,Kenichi, Magnetoresistive element with oxide magnetic layers and metal magnetic films deposited thereon.
  5. Kim, Kee-won; Kim, Kwang-seok; Lee, Sung-chul; Jang, Young-man; Pi, Ung-hwan, Magnetoresistive structures, magnetic random-access memory devices including the same and methods of manufacturing the magnetoresistive structure.
  6. Mizuguchi,Tetsuya, Magnetoresistive-effect element having a prominent magnetoresistive effect, and method of manufacturing same.
  7. Horng,Cheng T.; Tong,Ru Ying, Structure/method to form bottom spin valves for ultra-high density.
  8. Li,Min; Zheng,You Feng; Liao,Simon; Ju,Kochan, Synthetic pattern exchange configuration for side reading reduction.

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