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[미국특허] Tunnel valve sensor having a pinned layer structure with an iron oxide (Fe3O4) layer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11B-005/127
출원번호 US-0813855 (2001-03-20)
발명자 / 주소
  • Gill, Hardayal Singh
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corporation
대리인 / 주소
    Johnston, Ervin F.
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 13

초록

In a tunnel junction sensor a free layer structure has a cobalt iron (Co90Fe10) layer and a half metallic iron oxide (Fe3O4) layer and a pinned layer structure has a cobalt iron (Co50Fe50) layer and a half metallic iron oxide (Fe3O4) layer. Each of the iron oxide layers interfaces a barrier layer wh

대표청구항

In a tunnel junction sensor a free layer structure has a cobalt iron (Co90Fe10) layer and a half metallic iron oxide (Fe3O4) layer and a pinned layer structure has a cobalt iron (Co50Fe50) layer and a half metallic iron oxide (Fe3O4) layer. Each of the iron oxide layers interfaces a barrier layer wh

이 특허에 인용된 특허 (13) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Slonczewski John Casimir (Katonah NY), Electronic device using magnetic components.
  2. Sato Masashige,JPX ; Kobayashi Kazuo,JPX ; Kikuchi Hideyuki,JPX, Ferromagnetic tunnel-junction magnetic sensor utilizing a barrier layer having a metal layer carrying an oxide film.
  3. Hardayal Singh Gill, Low uniaxial anisotropy cobalt iron (COFE) free layer structure for GMR and tunnel junction heads.
  4. Gallagher William Joseph ; Parkin Stuart Stephen Papworth ; Slonczewski John Casimir ; Sun Jonathan Zanhong, Magnetic tunnel junction device with antiferromagnetically coupled pinned layer.
  5. Parkin Stuart Stephen Papworth, Magnetic tunnel junction device with improved fixed and free ferromagnetic layers.
  6. Schep Cornelis M.,NLX ; Gijs Martinus A.M.,NLX, Magneto-resistive magnetic field sensor with a constricted region.
  7. Araki Satoru,JPX ; Sato Yuichi,JPX ; Shinoura Osamu,JPX, Magnetoresistance device.
  8. Takeda Hideki,JPX ; Katsumi Tetsuya,JPX, Magnetoresistive element and magnetic detector and use thereof.
  9. Kamiguchi Yuzo,JPX ; Saito Akiko,JPX ; Koui Katsuhiko,JPX ; Yoshikawa Masatoshi,JPX ; Yuasa Hiromi,JPX ; Fukuzawa Hideaki,JPX ; Hashimoto Susumu,JPX ; Iwasaki Hitoshi,JPX ; Yoda Hiroaki,JPX ; Sahashi, Multi-layered thin-film functional device and magnetoresistance effect element.
  10. Chui Siu-Tat, Multiple magnetic tunnel structures.
  11. Brug James A. ; Bhattacharyya Manoj K. ; Tran Lung T. ; Anthony Thomas C., Robust recording head for near-contact operation.
  12. Komuro, Matahiro; Kawato, Yoshiaki, Spin-tunnel magneto-resistance type magnetic sensor.
  13. Lee Gregory S. ; Mao Erji, Tunneling ferrimagnetic magnetoresistive sensor.

이 특허를 인용한 특허 (14) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Kishi,Tatsuya; Saito,Yoshiaki; Amano,Minoru; Takahashi,Shigeki; Nishiyama,Katsuya, Magnetic memory having a ferromagnetic tunneling junction.
  2. Saito,Masamichi, Magnetic sensing element containing half-metallic alloy.
  3. Jayasekara, Wipul, Magnetic tunnel junction sensor having a longitudinal bias layer in contact with a free layer.
  4. Jayasekara,Wipul, Magnetic tunnel junction sensor with nickel-oxide longitudinal bias layer abutting opposite sides of active region.
  5. Hibino,Satoshi, Magnetic tunneling junction element having thin composite oxide film.
  6. Oshima,Hirotaka; Kondo,Reiko; Jogo,Arata; Shimizu,Yutaka; Tanaka,Atsushi, Magneto-resistive element, magnetic head and magnetic storage apparatus.
  7. Kishi, Tatsuya; Saito, Yoshiaki; Amano, Minoru; Takahashi, Shigeki; Nishiyama, Katsuya, Magnetoresistive effect element having a ferromagnetic tunneling junction, magnetic memory, and magnetic head.
  8. Iwasaki,Hitoshi; Koui,Katsuhiko; Yoshikawa,Masatoshi; Yuasa,Hiromi; Fukuzawa,Hideaki; Sahashi,Masashi, Magnetoresistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing apparatus.
  9. Matsukawa, Nozomu; Odagawa, Akihiro; Sugita, Yasunari; Satomi, Mitsuo; Kawashima, Yoshio, Magnetoresistive element.
  10. Hoshiya,Hiroyuki; Soeya,Susumu; Meguro,Kenichi, Magnetoresistive element with oxide magnetic layers and metal magnetic films deposited thereon.
  11. Miura,Satoshi; Uesugi,Takumi; Takahashi,Norio, Magnetoresistive element, thin-film magnetic head, head gimbal assembly, head arm assembly and magnetic disk drive.
  12. Wang, Hui-Chuan; Li, Min; Zhao, Tong; Zhang, Kunliang; Torng, Chyu-Jiuh, Process for composite free layer in CPP GMR or TMR device.
  13. Wang,Hui Chuan; Li,Min; Zhao,Tong; Zhang,Kunliang; Torng,Chyu Jiuh, Structure and process for composite free layer in CPP GMR device.
  14. Quandt,Eckhard; Lohndorf,Markus; Ludwig,Alfred; Ruhrig,Manfred; Wecker,Joachim, TMR sensor.

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