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Heterojunction bipolar transistor and method for production thereof 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/06
  • H01L-031/0328
  • H01L-031/0336
  • H01L-031/072
  • H01L-031/109
출원번호 US-0299837 (2002-11-20)
우선권정보 JP-0365037 (2001-11-29)
발명자 / 주소
  • Suzumura, Isao
  • Oda, Katsuya
  • Washio, Katsuyoshi
출원인 / 주소
  • Hitachi, Ltd.
인용정보 피인용 횟수 : 21  인용 특허 : 6

초록

A high-speed heterojunction bipolar transistor in a large injection of electrons from the emitter and a method for production thereof. In a typical example of the SiGeC heterojunction bipolar transistor, the collector has a layer of n-type single-crystal Si and a layer of n-type single-crystal SiGe,

대표청구항

A high-speed heterojunction bipolar transistor in a large injection of electrons from the emitter and a method for production thereof. In a typical example of the SiGeC heterojunction bipolar transistor, the collector has a layer of n-type single-crystal Si and a layer of n-type single-crystal SiGe,

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Chu Jack Oon ; Ismail Khalid Ezzeldin ; Lee Kim Yang ; Ott John Albrecht, Bulk and strained silicon on insulator using local selective oxidation.
  2. Chu Jack Oon ; Ismail Khalid Ezzeldin ; Lee Kim Yang ; Ott John Albrecht, Bulk and strained silicon on insulator using local selective oxidation.
  3. Steven Howard Voldman, ESD robust silicon germanium transistor with emitter NP-block mask extrinsic base ballasting resistor with doped facet region.
  4. Kubo Minoru,JPX ; Nozawa Katsuya,JPX ; Suzuki Masakatsu,JPX ; Uenoyama Takeshi,JPX ; Kumabuchi Yasuhito,JPX, Method of forming HCMOS devices with a silicon-germanium-carbon compound semiconductor layer.
  5. Tohru Saitoh JP; Yoshihiko Kanzawa JP; Koji Katayama JP; Katsuya Nozawa JP; Gaku Sugahara JP; Minoru Kubo JP, Semiconductor crystal, fabrication method thereof, and semiconductor device.
  6. Nakagawa Kiyokazu (Sayama JPX) Nishida Akio (Misato JPX) Shimada Toshikazu (Kokubunji JPX), Semiconductor optical device, manufacturing method for the same, and opto-electronic integrated circuit using the same.

이 특허를 인용한 특허 (21)

  1. U'Ren, Greg D.; Schuegraf, Klaus F.; Racanelli, Marco, Band gap compensated HBT.
  2. Enicks, Darwin Gene; Carver, Damian, Bandgap and recombination engineered emitter layers for SiGe HBT performance optimization.
  3. Enicks,Darwin Gene; Carver,Damian, Bandgap engineered mono-crystalline silicon cap layers for SiGe HBT performance enhancement.
  4. Chidambarrao, Dureseti; Freeman, Gregory G.; Khater, Marwan H., Creating increased mobility in a bipolar device.
  5. Farrar, Paul A., Epitaxial semiconductor layer and method.
  6. Enicks, Darwin G.; Chaffee, John Taylor; Carver, Damian A., Integrated circuit structures containing a strain-compensated compound semiconductor layer and methods and systems related thereto.
  7. Enicks, Darwin Gene; Chaffee, John; Carver, Damian A., Integrated circuit structures containing a strain-compensated compound semiconductor layer and methods and systems related thereto.
  8. Enicks,Darwin Gene, Method and system for controlled oxygen incorporation in compound semiconductor films for device performance enhancement.
  9. Soman, Ravindra; Murthy, Anand; VanDerVoorn, Peter; Ahmed, Shahriar, Method for fabricating a heterojunction bipolar transistor.
  10. Enicks, Darwin G., Method for providing a nanoscale, high electron mobility transistor (HEMT) on insulator.
  11. Enicks, Darwin G., Method for providing a nanoscale, high electron mobility transistor (HEMT) on insulator.
  12. Seki, Akinori; Tani, Yukari; Shibata, Noriyoshi, Method of producing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor substrate obtained thereby and silicon carbide semiconductor using the same.
  13. Adam,Thomas N.; Krishnasamy,Rajendran, Selective links in silicon hetero-junction bipolar transistors using carbon doping and method of forming same.
  14. Kanzawa, Yoshihiko; Saitoh, Tohru; Nozawa, Katsuya; Kubo, Minoru; Hara, Yoshihiro; Takagi, Takeshi; Kawashima, Takahiro, Semiconductor crystal film and method for preparation thereof.
  15. Ohnishi, Teruhito; Yuki, Koichiro; Sawada, Shigeki; Shimizu, Keiichiro; Hasegawa, Koichi; Saitoh, Tohru; Clifton, Paul A., Semiconductor device.
  16. Miura, Makoto; Washio, Katsuyoshi; Shimamoto, Hiromi, Semiconductor device and manufacturing method of the same.
  17. Yuki,Koichiro; Saitoh,Tohru; Kubo,Minoru; Ohnaka,Kiyoshi; Asai,Akira; Katayama,Koji, Semiconductor device and method for fabricating the same.
  18. Dip,Anthony; Leith,Allen John; Oh,Seungho, Sequential oxide removal using fluorine and hydrogen.
  19. Pagette, Francois, Silicon germanium emitter.
  20. Pagette,Francois, Silicon germanium emitter.
  21. Liu,Jin Ping, Silicon-germanium virtual substrate and method of fabricating the same.
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