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Formation of tungstein-based interconnect using thin physically vapor deposited titanium nitride layer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/4763
  • H01L-029/12
출원번호 US-0881607 (2001-06-13)
발명자 / 주소
  • Fortin, Vincent
출원인 / 주소
  • Mosel Vitelic Inc.
대리인 / 주소
    Meetin, Ronald J.
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 24

초록

A tungsten-based interconnect is created by first providing a structure with an opening (464/470) in a structure and then rounding the top edge of the opening. A titanium nitride layer (150) is physically vapor deposited to a thickness less than 30 nm, typically less than 25 nm, over the structure a

대표청구항

A tungsten-based interconnect is created by first providing a structure with an opening (464/470) in a structure and then rounding the top edge of the opening. A titanium nitride layer (150) is physically vapor deposited to a thickness less than 30 nm, typically less than 25 nm, over the structure a

이 특허에 인용된 특허 (24)

  1. Cheng Kuo-Hsien,TWX ; Wang Ting-Chun,TWX, Barrier metal composite layer featuring a thin plasma vapor deposited titanium nitride capping layer.
  2. Rhodes Howard E. ; Ireland Philip J. ; Hagen Kenneth N. ; Wu Zhiqiang, Contact formation using two anneal steps.
  3. Dixit Pankaj (Sunnyvale CA) Sliwa Jack (Los Altos Hills CA) Klein Richard K. (Mountain View CA) Sander Craig S. (Mountain View CA) Farnaam Mohammad (Santa Clara CA), Contact plug and interconnect employing a barrier lining and a backfilled conductor material.
  4. Matsumoto Ryoichi,JPX ; Kawazu Yoshiyuki,JPX, Contact structure using barrier metal and method of manufacturing the same.
  5. Ameen Michael S. ; Hillman Joseph T. ; Webb Douglas A., Elimination of titanium nitride film deposition in tungsten plug technology using PE-CVD-TI and in-situ plasma nitridation.
  6. Hsieh Shih-Huang (Kaohsiung TWX), Furnace amorphous-SI cap layer to prevent tungsten volcano effect.
  7. Chen Chang-Hui,TWX, In situ plasma clean for tungsten etching back.
  8. Yamamori Atsushi,JPX, Method for fabricating semiconductor device having buried contact structure.
  9. Fiordalice Robert W. (Austin TX) Olowolafe Johnson O. (Austin TX) Kawasaki Hisao (Austin TX), Method for forming a conductive interconnect in an integrated circuit.
  10. Chen C. H.,TWX ; Chao Y. C.,TWX ; Tsui Y. M.,TWX ; Chang W. R.,TWX, Method for formingzig-zag bordered openings in semiconductor structures.
  11. Lin Chi-Jung,TWX ; Huang Jyh-J,TWX ; Lu Horng-Bor,TWX ; Wu Kun-Lin,TWX, Method for preventing aluminum intrusions.
  12. Chen Ming-Shing,TWX ; Kuo Yung-Chieh,TWX, Method of fabricating barrier layer.
  13. Huang Ji-Chung,TWX ; Wang Je,TWX ; Huang Ying-Shih,TWX, Method to prevent volcane effect in tungsten plug deposition.
  14. Dobson Christopher David,GBX ; Harris Mark Graeme Martin,GBX ; Buchanan Keith Edward,GBX, Methods of forming a barrier layer.
  15. Chooi Simon,SGX ; Gupta Subhash,SGX ; Zhou Mei-Sheng,SGX ; Hong Sangki,SGX, Non-metallic barrier formation for copper damascene type interconnects.
  16. Yin Zhiping ; Jost Mark, Plasma treatment of an interconnect surface during formation of an interlayer dielectric.
  17. Wang Jyh-Haur (Hsin-Chu TWX) Hsu Shun-Liang (Hsin-Chu TWX), Post tungsten etch back anneal, to improve aluminum step coverage.
  18. Hu Yongjun, Process for forming a film composed of a nitride of a diffusion barrier material.
  19. Wang Shein-Sen M. (Cupertino CA), Selective deposition of metal on metal nitride to form interconnect.
  20. Iijima Tadashi,JPX ; Ono Hisako,JPX ; Suguro Kyoichi,JPX ; Akasaka Yasushi,JPX ; Nakamura Shinichi,JPX, Semiconductor device.
  21. Tetsuya Taguwa JP, Semiconductor device having a barrier metal layer and method for manufacturing the same.
  22. Nagamine Makoto,JPX ; Itoh Hitoshi,JPX, Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device.
  23. Yu Chen-Hua Douglas (Hsin-Chu TWX), Step coverage enhancement process for sub half micron contact/via.
  24. Chatila Ahmad ; Yeh Kuantai ; Cleeves James M. ; Arnzen Daniel ; Caldwell Roger, Thin liner layer providing reduced via resistance.

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Hintze, Bernd; Koschinsky, Frank, Methods of forming metal nitride materials.
  2. Dao, Thuy B.; Vuong, Chanh M., Multilayered through a via.
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