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Forming metal nitrides 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-023/06
출원번호 US-0083614 (2002-02-26)
발명자 / 주소
  • Suscavage, Michael J.
  • Bliss, David F.
  • Callahan, Michael J.
  • Iseler, Gerald W.
  • Bailey, John S.
출원인 / 주소
  • The United States of America as represented by the Secretary of the Air Force
대리인 / 주소
    Stover, Thomas C.
인용정보 피인용 횟수 : 11  인용 특허 : 3

초록

Method and apparatus are provided for forming metal nitrides (MN) wherein M is contacted with iodine vapor or hydrogen iodide (HI) vapor to form metal iodide (MI) and contacting MI with ammonia to form the MN in a process of reduced or no toxicity. MN is then deposited on a substrate, on one or more

대표청구항

Method and apparatus are provided for forming metal nitrides (MN) wherein M is contacted with iodine vapor or hydrogen iodide (HI) vapor to form metal iodide (MI) and contacting MI with ammonia to form the MN in a process of reduced or no toxicity. MN is then deposited on a substrate, on one or more

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Suscavage Michael J. ; Harris Meckie T. ; Bliss David F. ; Bailey John S. ; Callahan Michael, Process for the manufacture of group III nitride targets for use in sputtering and similar equipment.
  2. Mazdiyasni Khodabakhsh S. (Xenia OH) Cooke Charles M. (Dayton OH), Synthesis of high purity, alpha phase silicon nitride powder.
  3. Jacob Guy M. (Creteil FRX) Hallais Jean P. (Ablon FRX), Vapor deposition of single crystal gallium nitride.

이 특허를 인용한 특허 (11)

  1. D'Evelyn, Mark Philip; Giddings, Robert Arthur; Sharifi, Fred; Dey, Subhrajit; Hong, Huicong; Kapp, Joseph Alexander; Khare, Ashok Kumar, Apparatus for processing materials in supercritical fluids and methods thereof.
  2. D'Evelyn,Mark Philip; Park,Dong Sil; Lou,Victor Lienkong; McNulty,Thomas Francis; Hong,Huicong, Apparatus for producing single crystal and quasi-single crystal, and associated method.
  3. Minemoto, Hisashi; Kitaoka, Yasuo; Kidoguchi, Isao; Mori, Yusuke; Kawamura, Fumio; Sasaki, Takatomo; Umeda, Hidekazu; Takahashi, Yasuhito, Apparatus for production of crystal of group III element nitride and process for producing crystal of group III element nitride.
  4. Minemoto,Hisashi; Kitaoka,Yasuo; Kidoguchi,Isao; Mori,Yusuke; Kawamura,Fumio; Sasaki,Takatomo; Umeda,Hidekazu; Takahashi,Yasuhito, Apparatus for production of crystal of group III element nitride and process for producing crystal of group III element nitride.
  5. Ren, Fan; Pearton, Stephen John, Chloride detection.
  6. Park, Dong-Sil; D'Evelyn, Mark Philip; Peterson, II, Myles Standish; Leman, John Thomas; Sharifi, Fred, Crystalline composition, device, and associated method.
  7. Jiang, Kai Li; Liu, Kai; Fan, Shou Shan, Devices for manufacturing carbon nanotube arrays.
  8. Bliss, David F.; Tassev, Vladimir L.; Suscavage, Michael J.; Bailey, John S., Forming improved metal nitrides.
  9. Bliss,David F.; Tassev,Vladimir L.; Suscavage,Michael J.; Bailey,John S., Forming improved metal nitrides.
  10. D'Evelyn, Mark Philip; Narang, Kristi Jean; Giddings, Robert Arthur; Tysoe, Steven Alfred; Lucek, John William; Vagarali, Suresh Shankarappa; Leonelli, Jr., Robert Vincent; Dysart, Joel Rice, High temperature high pressure capsule for processing materials in supercritical fluids.
  11. Callahan, Michael J.; Wang, Buguo; Bailey, John S., Polycrystalline III-nitrides.
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