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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0132717 (2002-04-26) |
우선권정보 | JP-0131431 (2001-04-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 2 |
The present invention relates to a method of manufacturing a piezoelectric device of high sensitivity using direct bonded quartz plate. To achieve this object, the invented method comprises the steps of covalently bonding a plurality of quartz plates, dry etching the bonded quartz plates with plasma
The present invention relates to a method of manufacturing a piezoelectric device of high sensitivity using direct bonded quartz plate. To achieve this object, the invented method comprises the steps of covalently bonding a plurality of quartz plates, dry etching the bonded quartz plates with plasma
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