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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0660884 (2000-09-12) |
우선권정보 | JP-0140584 (1998-05-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 9 |
Insulating films 21 through 24 of CF films (fluorine-contained carbon films) are formed on a substrate (not shown). In addition, Cu wiring layers 25 and 26 are formed on the CF films 21 and 23 via an adhesion layer 29 which comprises a Ti layer and a TiC layer. By forming the insulating films 21 thr
1. A semiconductor device comprising: a substrate; an insulating film of a fluorine-contained carbon film formed on said substrate, wherein the surface of said insulating film is irradiated with hydrogen plasma; a wiring layer of copper formed on said insulating film; and an adhesion layer form
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