[특허]Hydrogenated oxidized silicon carbon material

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Hydrogenated oxidized silicon carbon material 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-023/48 H01L-023/58
출원번호	US-0603256 (2000-06-23)
발명자 / 주소	Grill, Alfred Jahnes, Christopher Vincent Patel, Vishnubhai Vitthalbhai Perraud, Laurent Claude
출원인 / 주소	International Business Machines Corporation
대리인 / 주소	Trepp, Robert M.
인용정보	피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 10

초록 ▼

A low dielectric constant, thermally stable hydrogenated oxidized silicon carbon film which can be used as an interconnect dielectric in IC chips is disclosed. Also disclosed is a method for fabricating a thermally stable hydrogenated oxidized silicon carbon low dielectric constant film utilizing a plasma enhanced chemical vapor deposition technique. Electronic devices containing insulating layers of thermally stable hydrogenated oxidized silicon carbon low dielectric constant materials that are prepared by the method are further disclosed. To enable the fabrication of thermally stable hydrogenated oxidized silicon carbon low dielectric constant film, specific precursor materials having a ring structure are preferred.

대표청구항 ▼

이 특허에 인용된 특허 (10)

Cohen Stephen A. (Wappingers Falls NY) Edelstein Daniel C. (New Rochelle NY) Grill Alfred (White Plains NY) Paraszczak Jurij R. (Pleasantville NY) Patel Vishnubhai V. (Yorktown NY), Diamond-like carbon for use in VLSI and ULSI interconnect systems.
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Petrmichl Rudolph H. (Center Valley PA) Knapp Bradley J. (Kutztown PA) Kimock Fred M. (Macungie PA) Daniels Brian K. (Emmaus PA), Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates.
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Laxman Ravi Kumar ; Hochberg Arthur Kenneth, Low temperature deposition of silicon dioxide using organosilanes.
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Ikeda Yasuo (Tokyo JPX), Method and apparatus for forming silicon oxide film by chemical vapor deposition.
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Hu Ing-Feng (Midland MI) Tou James C. (Midland MI), Method of forming a plasma polymerized film.
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Maeda Kazuo (Tokyo JPX) Tokumasu Noboru (Tokyo JPX) Yuyama Yoshiaki (Tokyo JPX), Method of forming insulating film.
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Brochot Jean-Pierre (Paris FRX) Sohier Philippe (Liancourt FRX) Ceccaroli Bruno (Svelgen NOX), Method of making coated glass substrates.
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Rose Peter ; Lopata Eugene ; Felts John, Method of making low .kappa. dielectric inorganic/organic hybrid films.
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Andricacos Panayotis Constantinou ; Comfort James Hartfiel ; Grill Alfred ; Kotecki David Edward ; Patel Vishnubhai Vitthalbhai ; Saenger Katherine Lynn ; Schrott Alejandro Gabriel, Plating of noble metal electrodes for DRAM and FRAM.
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Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Ojha Suresh M. (Harlow GB2) Llewellyn Ian P. (Harlow GB2), Pulsed plasma process for treating a substrate.
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이 특허를 인용한 특허 (3)

Yau,Wai Fan; Cheung,David; Jeng,Shin Puu; Liu,Kuowei; Yu,Yung Cheng, Low dielectric constant film produced from silicon compounds comprising silicon-carbon bonds.
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Bish,Jack; Brink,Damon; Hanrahan,Kevin, Method of manufacturing an integrated heat spreader lid.
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Akahori, Takashi; Chung, Gishi; Kawamura, Kohei, Semiconductor device and fabrication method therefor.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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