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Positive resist composition

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G03F-070/39
출원번호 US-0285502 (2002-11-01)
우선권정보 JP-0336413 (2001-11-01)
발명자 / 주소
  • Nishiyama, Fumiyuki
  • Fujimori, Toru
출원인 / 주소
  • Fuji Photo Film Co., Ltd.
대리인 / 주소
    Sughrue Mion, PLLC
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 5

초록

A positive resist composition comprising a resin (A), which is decomposed by the action of an acid to increase solubility in an alkali developing solution, containing a structural unit including a group represented by formula (X) defined in the specification and/or a resin (B), which is decomposed b

대표청구항

A positive resist composition comprising a resin (A), which is decomposed by the action of an acid to increase solubility in an alkali developing solution, containing a structural unit including a group represented by formula (X) defined in the specification and/or a resin (B), which is decomposed b

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Harada, Yuji; Hatakeyama, Jun; Watanabe, Jun; Kawai, Yoshio; Sasago, Masaru; Endo, Masayuki; Kishimura, Shinji; Ootani, Michitaka; Miyazawa, Satoru; Tsutsumi, Kentaro; Maeda, Kazuhiko, Polymers, resist compositions and patterning process.
  2. Sato Kenichiro,JPX ; Aoai Toshiaki,JPX, Positive photoresist composition for far ultraviolet ray exposure.
  3. Ito Hiroshi (San Jose CA) Willson Carlton G. (San Jose CA) Frechet Jean M. J. (Ottawa CAX), Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile grou.
  4. Okazaki Hiroshi,JPX ; Pawlowski Georg,JPX ; Funato Satoru,JPX ; Kinoshita Yoshiaki,JPX ; Yamaguchi Yuko,JPX, Process for preparing resists.
  5. Jun Numata JP; Shirou Kusumoto JP; Eiichi Kobayashi JP, Radiation-sensitive resin composition.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Wang, Chien-Wei; Chang, Ching-Yu; Gau, Tsai-Sheng; Lin, Burn Jeng, Patterning process and photoresist with a photodegradable base.
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