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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0136533 (2002-05-02) |
우선권정보 | JP-0336202 (2001-11-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 47 인용 특허 : 1 |
A semiconductor device has a multilayer interconnection structure in which a plurality of interconnection layers is formed in an insulating film. The multilayer interconnection structure has a first metal film made of a first material and functioning as a first interconnection belonging to an interc
1. A semiconductor device comprising a multilayer interconnection structure in which a plurality of interconnection layers are formed in an insulating film, said multilayer interconnection structure having,a first metal film made of a first material and functioning as a first interconnection belongi
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